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日本FA-2000用于半导体工业的臭氧气体发生器

发布日期:2024-09-11  浏览次数:

FA-2000用于半导体工业的臭氧气体发生器

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优势

由于我们独特的方法使用石英双管放电单元,清洁和干燥的臭氧气体无金属产生污染物或湿气。

高浓度臭氧气体由专用电源产生。

用途

各种半导体清洗装置

臭氧灰化装置

TEOS臭氧- cvd设备

用于各种半导体的臭氧-水发生器

放电原理

FA系列石英双管,电极间有介质,可防止金属粉尘。

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重金属含量分析

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高纯度氧源规格

臭氧放电压力:0.07~0.20MPa

臭氧浓度:~270g/m(N)

发电量可调范围:5~100%

氧气纯度:99.95 ~ 99.9999%

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