日本FA-2000用于半导体工业的臭氧气体发生器
FA-2000用于半导体工业的臭氧气体发生器
优势
由于我们独特的方法使用石英双管放电单元，清洁和干燥的臭氧气体无金属产生污染物或湿气。
高浓度臭氧气体由专用电源产生。
用途
各种半导体清洗装置
臭氧灰化装置
TEOS臭氧- cvd设备
用于各种半导体的臭氧-水发生器
放电原理
FA系列石英双管，电极间有介质，可防止金属粉尘。
重金属含量分析
高纯度氧源规格
臭氧放电压力:0.07~0.20MPa
臭氧浓度:~270g/m(N)
发电量可调范围:5~100%
氧气纯度:99.95 ~ 99.9999%
