AT410 台式热原子层沉积

描述

AT410 工具是市场上具成本效益的原子层沉积系统。半导体级组件和金属密封管线以及快速脉冲阀使研发机构能够快速访问高质量的 ALD 薄膜，以快速筛选概念。 该工具拥有达到或超过市场上其他工具的功能，而成本只是其中的一小部分。

技术特点

直径高达 4“ 的样品架（可定制以容纳小零件、不寻常的形状）

可变过程压力控制 0.1 至 1.5 TORR

多达 5 种前驱体 - 标准

样品上游的所有金属密封系统

7“ 触摸屏 PLC 控制系统

以规定的剂量量精确地计量母离子

室温从室温到300°C±1°C;

前驱体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）

市场上占地面积很小（2.5 平方英尺），台式安装和洁净室兼容

系统维护简单，公用设施和前驱体使用率很低

流线型腔室设计和小腔室体积

提供快速循环能力（高达 1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深度穿透处理

全硬件和软件联锁，即使在多用户环境中也能安全运行

该工具可以沉积各种热原子层沉积材料

其他

系统出厂时预装了多个标准配方，控制器中预装了几个标准配方

在购买讨论期间待定的确切配方组合

为所有系统材料和用户定义的设备要求提供工艺开发支持

应用领域

原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和*性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。该技术应用的主要领域包括：

1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）

2） 微电子机械系统（MEMS）

3） 光电子材料和器件

4） 集成电路互连线扩散阻挡层

5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）

6） 互连线势垒层

7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）

8） DRAM、MRAM介电层

9） 嵌入式电容

10） 电磁记录磁头

11） 各类薄膜（<100nm）